英特尔18A工艺进展受挫，良品率仅有10%

12 月 5 日消息，据外媒消息透露，英特尔的 18A 工艺进展缓慢，良品率仅有 10%，无法大量生产。

根据英特尔代工在早些时候公布的制程路线图来看，英特尔应在今年将完成 18A 开发工作。此前，英特尔在 8 月 6 日展示过由英特尔 18A 工艺制造的芯片被成功点亮，并表示将在 2025 年大规模生产，但良品率未知。

英特尔 18A 的芯片设计中使用了 RibbonFET 全环绕栅极晶体管架构和 PowerVia 背面供电技术，相比 FinFET 结构，它能够提高密度和性能，同时还能改善标准单元的利用率。从路线图来看，英特尔在此期间还跳过了英特尔 20A 工艺迭代，全面押注了英特尔 18A 工艺，可能是想尽快赶超竞争对手，特别是台积电。

今年博通公司还使用了英特尔的 18A 工艺进行流片，但测试后表示还不能大规模生产，这也反映了目前业内对英特尔 18A 的信心仍不足。

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