丧心病狂！三星宣布2016年底前使用10nm芯片量产工艺

近年来华为三星高通等厂商对移动芯片的研发都加快了进度，同时也在这日益迸发的手机市场环境里硕果累累，譬如华为的麒麟935八核处理器（28nm制造工艺，最高主频2.2GHz），高通的骁龙810(20nm制造工艺，最高主频2.0GHz)，三星（猎户座）Exynos 7420（14nm制造工艺，最高主频2.1GHz+1.8GHz），而其中成为目前关注度和响应度都最高的无疑是三星自家的Exynos 7420。

三星公司最近宣布,将开始大规模生产芯片使用10nm制造工艺到2016年底。新技术被认为是增强处理能力方面的显著优势,芯片尺寸和功耗。

新10nm芯片将继续使用三星位于鳍形场效应晶体管(FinFET)技术,就像三星Exynos 7420（世界上第一个移动芯片使用14纳米制造工艺）。Exynos 7420芯片,用在今年旗舰产品三星Galaxy S6和S6 edge,根据基准测试显示,是目前Android智能手机最快的移动芯片。

本周早些时候在旧金山的2015年国际固态电路会议(globalfoundries)上,三星推出了一个300毫米晶圆制造使用新技术。这被认为是意味着三星完成10nm芯片制造过程的规范。

虽然我们显然期待三星在即将到来的智能手机,使用10nm芯片与该技术相关的优势可以在其他设备,如头戴设备、网络设备、数据中心硬件。

在此之前，有消息称2016年底估计意味着苹果三星的新10nm芯片可以使用新的制造技术在2017年的智能手机和平板电脑，这也就对三星新的10nm芯片存在的证实。

台积电,三星最大的竞争对手苹果芯片订单而言,最近也有传言称其开始测试它的10nm FinFET芯片制造技术，最早在下个月与大规模生产。尽管三星已经早在2月开始大规模生产14 nm芯片,台积电目前还仅有16nm制造工艺芯片。

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via：PhoneArena

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