7nm plus 工艺来了，台积电 6nm 也将于明年试产

2019 年 10 月 7 日台积电宣布，其业界首款商用的极紫外（EUV）光刻技术 7nm plus（N7+）将向客户交付产品。并表示采用 EUV 技术的 N7+工艺是建立在台积电成功的 7nm 节点之上，为 6nm 及更先进的技术铺平了道路。

N7+还改进了整体性能。与 N7 工艺相比，N7+密度提高了 15％ 至 20％，并降低了功耗，这使其成为行业下一波产品越来越受欢迎的选择。并且台积电一直在快速部署容量以满足由多个客户驱动的 N7+需求。

近日，台积电透露其最新的 6nm 制程技术将于明年第一季度开始进行试产，明年年底前将实现量产。

随着 EUV 的进一步应用，N6 的逻辑密度将比 N7 高 18％，并且与 N7 完全兼容的设计规则使客户可以大大缩短产品上市时间。

对于芯片来说，每一代技术的提升对于性能与功耗的提升都是显著的，技术的日新月异才能实现科技改变生活，期待最新的 6nm 的量产与应用。

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