三星将基于5/7nm打造ARM A76架构IP：频率突破3GHz

六月初，ARM就公布了全新的Cortex A76公版架构，而当时所展示的样片便是由台积电采用7nm工艺制程打造的，频率最高达到了3.3GHz，参考值也达到了3GHz。

近日，三星电子在韩国举办的铸造论坛中宣布，将与ARM的战略代工合作延续至5nm和7nm上，由三星5nm LPE和7nm LPP打造的A76芯片何以实现突破3GHz的频率。

此外，三星还表示，7nm LPP将会在2018年下半年正式开始早期生产，而采用EUV技术的IP预计将会在明年上半年完工，另外，三星还获得了ARM的Artisan physical IP授权，包括内存编译器、1.8V/3.3V的通用输入输出库等等，在未来可以加速开发过程和优化结果。

三星电子在铸造论坛中还确认，三星的路线图已经发展到3nn Gate-All-Around Early工艺。

除了三星自家Exyons系列处理器外，7nm的A76芯片或许还会拥有华为、高通这样的大客户。

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