三星电子将扩建西安NAND闪存项目，投资70亿美元

据韩联社3月14日报道，知情人士透露，三星电子公司计划投资约70亿美元扩大在西安的NAND闪存芯片生产线，以满足全球对其产品不断增长的需求，将于3月底动工。

消息称，三星计划于3月底开始扩建生产设备，届时三星半导体业务负责人金奇南(Kim Ki-nam)将与陕西省官员共同出席动工仪式。据知情人士称，三星计划在未来三年内为该扩建项目投资约70亿美元(约合人民币442亿元)。

2012年4月，西安高新区成功引进三星电子存储芯片项目，其一期项目总投资达100亿美元，该项目成为三星海外投资历史上投资规模最大的项目，项目于2014年5月竣工投产。

2017年8月29日，三星电子曾宣布在未来3年投资70亿美元，扩大其在中国西安工厂的NAND Flash存储芯片产能，并于2017年8月30日正式签约落户高新区。

但随后据韩国媒体Electronic Times报道，因韩国政府担心流失半导体与面板技术优势，拟下令禁止韩国半导体与面板厂在中国投资新厂，规定三星、SK海力士等记忆体厂，未来只有在紧急的特殊情况下申请豁免，否则不能在中国设新厂。

如今看来，三星或已获得韩国政府的同意，再次启动西安工厂扩产项目。

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