骁龙835 CES 2017官方新闻稿泄露：VR神器 性能恐怖

安卓中国1月3日消息，此前，高通已经确定将于北京时间1月6日召开介绍会，会上将公布骁龙835的详细参数。日前有外媒曝光了骁龙835的PPT图片，而现在爆料大神@evleaks 直接将官方新闻稿公布，这使得骁龙835的配置被全面曝光。

骁龙835将采用4x2.45GHz大核、4x1.9GHz小核八核心设计，大小核均为Kryo280架构，GPU为Adreno 540，支持4K屏、UFS 2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存，整合了Cat.16基带。支持Quick Charge 4.0快速充电技术，基于三星10nm FinFET工艺打造。

官方新闻稿中出现的骁龙835主要信息如下：

电池续航：

骁龙835采用10nm工艺，自主Kryo 280八核心设计，可以提供1天以上的通话时间、5天以上的音乐播放、7小时以上的4K视频，配合QC4.0充电技术，充电5分钟，使用5小时。

沉浸式AR、VR：

3D渲染速度比820快了25%，同时多支持60倍的屏幕显示色。

骁龙835支持场景和物理音源，支持解码DSD原片，动作位移延迟减少20%，6角度追踪。

拍照：

通过Hexagon 690 DSP、Spectra 180 ISP和Adreno 540 GPU的配合，拍照更清晰、对焦更迅速。

软件算法方面，高通推出了电子防抖3.0、高级4K视频防抖、滚动快门校正、双镜优化等。

连接性：

X16 LTE基带可以提供1Gbps的下载速度，支持802.11ad Wi-Fi，得益于10nm，基带模块封装面积缩小了45%，能效提升60%。

除此之外，骁龙835还在安全性、深度学习上做了改善加强。

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