明年旗舰手机标配芯片：高通骁龙835发布 10纳米工艺

安卓中国11月17日消息，今日高通公司宣布，正式推出旗下新一代旗舰处理器高通骁龙835。该处理器由三星电子代工，采用三星10纳米FinFET制程工艺打造。

今年10月，三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。

通过采用10纳米FinFET工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会显著提升电池续航。

三星执行副总裁及晶圆代工业务主管Jong Shik Yoon表示：“我们很高兴有机会与高通进行密切合作，采用我们的10纳米 FinFET工艺生产骁龙835。作为我们晶圆代工业务的一项重要里程碑，此次合作显示了对于三星领先制程工艺的信心。”

骁龙820/21处理器被今年大部分旗舰手机采用，已经拥有超过200款设计发布或正在开发中，而骁龙835正是其后续产品。目前，骁龙835已经投入生产，预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年出货。

值得注意的是，韩媒在10月初报道过，在MWC2017大会期间，三星会发布Galaxy S8，具体时间是2017年2月26日，据悉该机有一半机型将使用高通骁龙835处理器。| 最新最全手机科技数码资讯，尽在安卓中国！ 关注微信公众号：安卓论坛（anzhuo-cn）、好机友（jiyou3g）｜登陆安卓中国官网浏览更多精彩资讯（http://www.anzhuo.cn）。